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石墨盘定制


    GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点,是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料。GaN材料的制备主要采用气相外延生长的方法,石墨盘是外延生长GaN晶体的必备耗材。由于石墨材料在高温、腐蚀性气体环境下会发生腐蚀掉粉现象,从而将粉体杂质引入到单晶材料中。因此,涂覆高纯度、均匀致密的保护涂层是解决该问题的唯一方法。经化学气相沉积碳化硅涂层后的石墨盘具有耐高温、抗氧化、纯度高、耐酸碱盐及有机试剂等特性,满足高纯度单晶生长环境的需要,国外已将其作为一种新耗材在MOCVD外延生长设备上大规模使用,但国内还没有这一相关的产品。

      国防科技大学从2000年开始,一直致力于化学气相沉积碳化硅涂层制备技术应用研究,突破了碳化硅涂层制备的各项关键技术,具备了大尺寸(直径700mm)碳化硅涂层制备能力,获得国家发明专利授权1项。本实验室制备的碳化硅涂层的特点是:(1)高温抗氧化:温度高达1600℃时抗氧化性能仍然非常好;(2)纯度高、均匀、致密、颗粒细、无缺陷;(3)耐冲刷;(4)抗腐蚀性:耐酸、碱、盐及有机试剂。该技术在石墨盘方面具有很好的推广应用前景。

     碳化硅涂层石墨盘是各半导体厂家必不可少的耗材,目前,该产品全部依赖进口,价格昂贵,且受制于人。因此,本实验室开发的碳化硅涂层石墨盘技术一旦实现产业化,将对我国的半导体行业具有重要的战略意义和市场经济价值。

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